多晶硅石墨底座处理

多晶硅石墨底座处理

多晶硅生产工艺 - 知乎

硅石碳热还原法是利用C来还原SiO2进行多晶硅的制备， 反应方程式如下： SiO2+C=Si+CO2。 这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原，得到产物SiC，再将SiC投 多晶硅倒棒问题的控制，建议持续优化还原炉工艺参数，加强炉内热场的均衡性和炉内气流的稳定性。安装硅芯也非常重要，电极头、石墨卡瓣必须固定好，而且硅芯、卡瓣之间还 多晶硅还原生产常见问题及控制对策分析 - 百度文库化学反应方程式为： SiO2 (s) + 2C (s) = Si (s) + 2CO (g) Si (s) + 3HCl (g) = SiHCl3 (g) + H2 (g) SiHCl3 (g) + H2 (g) = Si (s) + 3HCl (g) 2. 拉单晶 多晶硅拉制成单晶硅工艺主要分为 直拉法（CZ） 和 区熔法 (FZ) 。 目前，大 从沙子到芯片：晶圆是如何炼成的 - 知乎

CN202144456U - 一种多晶硅氢化炉用石墨底座 - Google Patents

本实用新型公开了一种多晶硅氢化炉用石墨底座，它是用来将发热体与外部供电设备连接起来的引电体。 该石墨底座包括与发热体接触的上边缘与下边缘，将上边缘设为圆角，将下 2021年4月17日  本实用新型的主要技术方案为:一种多晶硅碳头料处理装置,包括:底座,底座上具有凹槽,用于固定石墨夹头;破碎部,破碎部包括支撑部件、驱动部件和破碎部件,支撑部 多晶硅碳头料处理装置 - 中国工程科技知识中心 - CKCEST